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SiC 方案控制器

800VDC 平台，12kW 大功率。优势：采用 SiC MOSFET 三相逆变拓扑，高负载可靠启动（≥25bar 启动压差）。
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ꄴ前一个： 3-in-1 控制器
ꄲ后一个： IGBT 方案控制器